CXMT riporta progressi sulla struttura di cella DRAM 4F quadrato perseguita da Samsung e SK Hynix

CXMT, un importante produttore cinese di chip di memoria, ha rivelato significativi avanzamenti in un design di transistor che compete con gli sforzi di Samsung e SK Hynix. L'azienda afferma che la sua architettura unica potrebbe migliorare la densità di archiviazione e aumentare l'efficienza. Al centro di questa innovazione c'è il design "4F quadrato", in cui ogni cella di memoria occupa un'area equivalente a quattro F al quadrato, con F che rappresenta la larghezza minima di linea di un semiconduttore. Ciò consente di integrare un maggior numero di celle su un singolo chip, facilitando una maggiore densità. Attualmente, la memoria dinamica ad accesso casuale (DRAM) commerciale mainstream utilizza una struttura a celle 6F quadrato. A un recente evento del settore a Shanghai, il presidente di CXMT, Cao Kanyu, ha annunciato piani per introdurre un nuovo prodotto di memoria per server che utilizza questo design entro la fine del 2026. Questo annuncio allinea CXMT con Samsung e SK Hynix nella ricerca di un'architettura a celle più densa.