Ricercatori cinesi raggiungono 10 miliardi di cicli di scrittura in memoria ferroelettrica a wurtzite

Un team di ricercatori dell'Università di Xidian a Xi'an, insieme alla City University di Hong Kong e all'Università Fudan, ha compiuto un importante passo avanti dimostrando oltre 10 miliardi di cicli di scrittura in ferroelettrici a wurtzite. Questo risultato, riportato sulla rivista Science giovedì e evidenziato dal Xi'an Daily sabato, supera i precedenti record di resistenza di quasi 100 volte. Questo sviluppo affronta un problema importante nella affidabilità della memoria ferroelettrica, che viene esplorata per future soluzioni di calcolo ad alte prestazioni e archiviazione per l'IA, guidata dalla crescente necessità di semiconduttori avanzati. I ferroelettrici a wurtzite, come il nitruro di alluminio e scandio (AlScN), sono noti per la loro commutazione rapida e il basso consumo energetico, che li rende ideali per i prossimi dispositivi di memoria. In precedenza, i dispositivi AlScN riuscivano a gestire solo circa 100 milioni di cicli di scrittura, ma questa nuova ricerca migliora la durabilità controllando il movimento delle vacanze di azoto.